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为了更好地诊断出基片无损检测工作中缺陷粒子姿态的详细信息，使用三波技术给出了半空间问题相应的连接边界条件，利用互易性定理简化近远场外推中的场变换过程，给出了一种有效的计算基片与镶嵌缺陷粒子散射方法．在数值计算中与矩量法（MOM）进行了比较，得到了P偏振和s偏振下镶嵌Cu和SiO2球体缺陷粒子的微分散射截面和电场分布．研究结果表明：介质缺陷的微分散射截面的值小于同条件下金属缺陷粒子的值．在应用中可通过分析P偏振场值分布特点反演缺陷特征值．