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采用简单的有效质量近似方法对硅量子点能隙进行了计算，计算中计入了硅量子点介电常数相对于体材料值显著减少而带来的影响，与近年来大量实验结果对比表明，量子限制效应导致的能隙增宽与多孔硅发光光子能量基本相同，量子限制效应是多孔硅发强可见光的关键因素．表面分子发光模型及非晶发光模型不能说明多孔硅的可见光发射．