肖特基C—V法研究AlxGa1—xN／GaN异质结界面二维电子气

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：oep

【摘要】

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通过对Pt/Al0.22Ga0.78N/GaN肖特基二极管的C－V测量，研究分析了Al0.22Ga0.78N/GaN异质结界面二维电子气（2DEG）浓度及其空间分布，测量结果表明，Al0.22Ga0.78N/GaN异质结界面2DEG浓度

【作者】

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周玉刚沈波等

【机构】

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南京大学物理系

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

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2001年11期

【关键词】

：

异质结肖特基C-V法二维电子气半导体材料 Al xGa 1-xN/GaN heterostructure Schottky contacts twodim

【基金项目】

：

国家重点基础研究专项基金 ( G2 0 0 0 0 6 83),,国家自然科学基金 ( 6 980 6 0 0 6 ,6 9976 0 14及 6 99870 0 1),,国家“八六三”高技术研究发展计划基金资助~~

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通过对Pt/Al0.22Ga0.78N/GaN肖特基二极管的C－V测量，研究分析了Al0.22Ga0.78N/GaN异质结界面二维电子气（2DEG）浓度及其空间分布，测量结果表明，Al0.22Ga0.78N/GaN异质结界面2DEG浓度峰值对应的浓度在界面以下1.3mm处，2DEG分布峰的半高宽为2.3nm，2DEG面密度为6.5×10^12cm^-2.与AlxGa1-xAs/GaAs异质结相比，其2DEG面密度要高一个数量级，而空间分布则要窄一个数量级，这主要归结于AlxGa1-xN层中－MV

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