底电极对PYZT铁电薄膜电容器的影响

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PYZT铁电薄膜电容器的制备采用sol-gel方法,将约500 nm厚的PYZT薄膜沉积在Pt/Ti、Pt/SiO2及Pt/RuO2底电极上,基片为Si(111).详细分析研究了PYZT薄膜在不同底电极,不同快速热处理温度下的晶相结构及PYZT铁电薄膜电容器的小信号特性.研究发现,沉积在Pt/RuO2底电极上的PYZT薄膜经800℃快速热处理具有较接近理想外延PYZT薄膜结构,而且εr随着快速热处理温度升高而减小,在800℃快速热处理条件下其εr约为150.
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