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半导体GaAs单晶材料通常用于制作激光二极管和高亮度发光二极管。对于激光二极管而言，特别需要低位错材料。简要阐述了垂直布里奇曼（VB）法生长GaAs单晶材料的动力学原理及VB-GaAs单晶的生长技术。本技术可实现低位错GaAs单晶材料的生长，拉制的50ISIS掺硅GaAs单晶的平均位错密度为500cm^-2，最大为1000cm^-2。