【摘 要】
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通过射频磁控溅射,在单晶LaAl O3（100）衬底上生长了膜厚为120 nm的La0.75Na0.25MnO3外延膜.应用X射线衍射仪、直流四探针法对其结构及电流诱导效应进行了系统研究.X射线结果表
【机 构】
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西安科技大学理学院,西安交通大学电信工程学院
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（60844006）, 陕西省自然科学基金资助项目（2009JQ1005）
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通过射频磁控溅射,在单晶LaAl O3（100）衬底上生长了膜厚为120 nm的La0.75Na0.25MnO3外延膜.应用X射线衍射仪、直流四探针法对其结构及电流诱导效应进行了系统研究.X射线结果表明：薄膜具有赝立方钙钛矿结构,为（100）取向外延膜.电阻率与温度关系表明La0.75Na0.25MnO3薄膜在275 K附近发生金属与绝缘体转变.电流在0.5～4 mA范围内,薄膜的峰值电阻率随电流增大而减小,在4 mA下获得了15.9%的峰值电阻率变化,并应用相分离理论给出了合理的解释.
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