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利用击穿电压和击穿电量这两个参数评价标准0．18μmCMOS工艺栅氧的可靠性，获得击穿电压和击穿电量的两个常用方法是电压扫描法和电流扫描法．对用这两种方法得到的击穿电压和击穿电蕈进行了对比．通过对比，发现测试方法对击穿电压的影响非常小．但是测试方法却可以在很大程度上影响击穿电量．用电流扫描法获得的击穿电垦要比用电压扫描法的要大，这一差别可以从两种方法不同的电流一电压曲线中得到解释．同时，通过考察Weibull分布的斜率还发现，击穿电压值的分布斜率要比击穿电量大的多，而且曲线拟合得更好．这说明用击穿电压获得