【摘 要】
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提出了一个采用TSMC 0.18μmCMOS工艺设计的,工作频段为3.1～5.2GHz的超宽带低噪声放大器。放大器采用了前置带通滤波器的并联负反馈共源共栅结构,并从宽带电路,高频电路器件选
【机 构】
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东南大学信息科学与工程学院射频与光电研究所,
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提出了一个采用TSMC 0.18μmCMOS工艺设计的,工作频段为3.1～5.2GHz的超宽带低噪声放大器。放大器采用了前置带通滤波器的并联负反馈共源共栅结构,并从宽带电路,高频电路器件选择等方面讨论了超宽带低噪声放大器的设计,结果表明,在整个工作频段,电路输入输出匹配S11,S22均小于-14dB,最高增益为15.92dB,增益波动为1.13dB,电路工作电压为1.8V,功耗为27mW,噪声系数NF为1.84～2.11dB。
An ultra-wideband LNA with a working frequency range of 3.1 ~ 5.2GHz was proposed based on the TSMC 0.18μm CMOS process. The amplifier adopts a parallel negative feedback cascode structure with a pre-bandpass filter, and discusses the design of an ultra-wideband low noise amplifier from the aspects of wideband circuit and high frequency circuit device selection. The results show that in the whole working frequency band, the circuit Input and output matching S11, S22 are less than-14dB, the maximum gain of 15.92dB, gain fluctuations of 1.13dB, the circuit operating voltage of 1.8V, power consumption is 27mW, the noise figure NF is 1.84 ~ 2.11dB.
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