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设计实现了一种低压差分信号(LVDS)单芯片收发器接口电路。由于采用低压差分信号传输技术,在获得更高收发器芯片传输速率的同时进......
基于国内的CMOS技术和EDA工具以及全定制的设计方法 ,采用无锡华晶上华 (CSMC HJ) 0 6 μmCMOS技术实现了可工作于 15 5Mb/s、6 2......
实现了一种能运用于光传输系统SONET OC-192的低功耗单级分接器,其工作速率高达12Gb/s.该电路采用了特征栅长为0.25μm的TSMC混和......
描述了用于SDH光纤通信STM-16速率级的2.488Gbit/s时钟和数据恢复电路.该电路采用基于注入式锁相环和D触发器的电路结构,在标准的0......
设计了一个应用于SFI-5接口的2·5Gb/s/ch数据恢复电路.应用一个延迟锁相环,将数据的眼图中心调整为与参考时钟的上升沿对准,因而......
描述了用于SDH光纤通信STM-1速率级光接收机主放大器的155Mbps限幅放大器.该电路采用CSMC0·5μmCMOS工艺实现,供电电压为3·3V,功......
设计实现了一种应用于IEEE 802.11a收发信机的PLL频率综合器中的可编程分频器.介绍了逻辑综合、版图规划、布局布线等VLSI设计流程......
采用TSMC公司标准的0.18μm CMOS工艺,设计并实现了一个全集成的2.5Gb/s时钟数据恢复电路.时钟恢复由一个锁相环实现.通过使用一个......
设计并实现了一种适用于DC-10Mb/s速率、兼容TTL和CMOS输入电平的激光器驱动电路.该电路通过片外电阻可以独立地设置激光器发送光......
提出了一种适用于宽带大动态范围应用的六阶跨导电容低通滤波器。该滤波器为Chebyshev类型,采用开环级联结构来实现。通过一组开关......
提出了一个采用TSMC 0.18μmCMOS工艺设计的,工作频段为3.1～5.2GHz的超宽带低噪声放大器。放大器采用了前置带通滤波器的并联负反馈......
An 8.12 μW wavelet denoising chip for PPG detection and portable heart rate monitoring in 0.18 μm CM
A low power wavelet denoising chip for photoplethysmography(PPG) detection and portable heart rate monitoring is present......
A fractional-N frequency synthesizer-based multi-standard I/Q carrier generation system in 0.13μm CM
This paper proposes a sigma-delta fractional-N frequency synthesizer-based multi-standard I/Q carrier generation system.......
A 3.125-Gb/s transimpedance amplifier(TIA) for an optical communication system is realized in 0.35μm CMOS technology.Th......
A fractional-N frequency synthesizer fabricated in a 0.13μm CMOS technology is presented for the application of IEEE 80......
This paper presents a wideband low noise amplifier(LNA) for multi-standard radio applications.The low noise characterist......
This paper presents a 0.6 V 10 bit successive approximation register(SAR) ADC design dedicated to the wireless sensor ne......
This paper presents a 10 bit successive approximation register(SAR) analog-to-digital converter(ADC)in 0.18 m 1P6 M CMOS......
该文提出一种应用于全数字锁相环高分辨率的时间数字转换器TDC。该TDC延时单元由两级特殊的反相器构成,其中第一个反相器只考虑上......
目前 ,ＮＥＣ首次采用抑制过度加速扩散法抑制 0 1μｍＣＭＯＳ反向窄沟道效应。在低电源电压化、高集成化进展的先进ＬＳＩ中 ,晶体管的微细化是最重要......
