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基于0．18gm高压n型DEMOS（drain extended MOS）器件，报道了在衬底电流Isub两种极值条件下作高压器件的热载流子应力实验，结果发现器件电学性能参数（如线性区电流、开态电阻、最大电导和饱和漏电流）随应力时间有着明显退化。通过TCAD分析表明，这主要是由于持续电压负载引起器件内部界面态的变化和电子注入场氧层，进而改变了器件不同区域内部电场分布所致。同时模拟研究还表明，在Isub第一极大值条件下应力所致的器件退化，主要是由器件漏／沟道耗尽区域的电场强度增加引起的；而在Isub第二极值条