Si衬底MOCVD生长GaN／InGaN多量子阱缺陷TEM研究

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：fugle0908

【摘要】

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用透射电子显微镜对Si衬底生长GaN／InGaN多量子阱材料进行横断面测试，在衬底和缓冲层区域进行高分辨电子显微成像（HRTEM）、电子衍射衬度成像、选区电子衍射成像，在量子阱附近区域

【作者】

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朱华李翠云莫春兰江风益张萌

【机构】

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南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,景德镇陶瓷学院机电学院

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

：

2008年3期

【关键词】

：

MQW SI衬底位错 TEM SEM MOW Si substrate dislocation TEM SEM

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用透射电子显微镜对Si衬底生长GaN／InGaN多量子阱材料进行横断面测试，在衬底和缓冲层区域进行高分辨电子显微成像（HRTEM）、电子衍射衬度成像、选区电子衍射成像，在量子阱附近区域进行了双束近似电子衍衬像对其位错特性进行研究；用场发射扫描电子显微镜对饱和KOH溶液腐蚀前后材料成像．结果发现，AlN缓冲层具有多孔结构，高温GaN层位错平均密度达10^8cm^-2，同扫描电子显微镜得到的六角腐蚀坑密度一致，量子阱以下发现大量位错发生90°弯曲，而使穿过量子阱位错密度大大降低．在线位错中，以刃位错

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