【摘 要】
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基于集总电荷原理,分析了功率垂直双扩散MOS(VDMOS)开关过程各阶段极间电容CGS和CGD的变化,建立了连续的CGS和CGD的模型,利用产品数据手册的数据,采用曲线拟合技术可以提取模
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基于集总电荷原理,分析了功率垂直双扩散MOS(VDMOS)开关过程各阶段极间电容CGS和CGD的变化,建立了连续的CGS和CGD的模型,利用产品数据手册的数据,采用曲线拟合技术可以提取模型方程中所有未知参数.在Saber仿真软件中,利用现有的LDMOS模型为核心,构筑功率VDMOS的子电路模型,作为精确的瞬态和传导电磁干扰(Electromagnetic Interference,EMI)仿真使用.最后的开关实验和仿真结果的比较证明了该模型的准确性和有效性.
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