【摘 要】
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为了克服时钟振荡器对温度和工艺的敏感性,基于SMIC 0.18μm标准CMOS工艺,设计并实现了具有工艺参数漂移和温度系数漂移补偿特性的1GHz时钟振荡器电路.采用了温度系数和阈值
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为了克服时钟振荡器对温度和工艺的敏感性,基于SMIC 0.18μm标准CMOS工艺,设计并实现了具有工艺参数漂移和温度系数漂移补偿特性的1GHz时钟振荡器电路.采用了温度系数和阈值电压感应模块,使得振荡频率在工艺和温度变化时仍具有较高的稳定性,同时加入整形电路,形成轨对轨的方波时钟信号.经仿真表明,在电源电压1.8V下,不同工艺角ff,ss,tt,频率的最大偏移为1.43%.工作温度变化范围-40～125℃时,频率的最大偏移为0.87%,达到频率稳定度的要求.
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