论文部分内容阅读
研究了不同气氛(N2、O2、Ar)下高温快速热处理(RTP)对热施主形成和消除特性的影响．研究发现无论在何种气氛下进行高温RTP，对热施主的形成均无影响．扩展电阻的分析结果表明，热施主在硅片纵向的分布是均匀的．根据高温RTP后硅片的空位特征，认为点缺陷对热施主的形成特性无影响．同时研究了高温RTP预处理对热施主消除特性的影响，发现氧气和氩气高温RTP的样品其生成的热施主经过650℃退火即可消除，和普通的热施主消除特性相同．而N2气氛下高温RTP的样品，650℃退火后仍有部分施主存在，经950℃退火才能彻底