热施主相关论文
目前，铸造多晶硅材料已经取代直拉单晶硅成为最主要的太阳能电池材料，但是铸造多晶硅电池的转换效率略低于直拉单晶硅太阳能电池的转......
研究退火消除直拉单晶硅中热施主的效果以及在后续热过程中热施主的再形成规律。实验结果显示,采用650℃保温40min的退火可有效消......
研究了 p型含氮以及不含氮直拉 (CZ)硅中热施主 (TD)以及氮氧 (N- O)复合体的电学性质 .硅片在 35 0～85 0℃范围进行不同时间的退火......
研究了外加高压(1GPa)下对450℃热处理硅片中氧沉淀行为的影响.透射电镜观察表明相对于大气压下热处理的样品,高压处理的样品会产......
总结了氢对直拉硅（CZ）单晶中缺陷影响的研究进展，主要介绍了氢促进氧扩散、热施主和氧沉淀生成，以及高温氢气退火促进直拉硅片空洞型缺......
利用四探针测试和三点弯曲法研究了掺入等价元素Ge的CZSi 450℃退火时晶体电学参数稳定性和硅片机械强度．发现Ge能抑制CZSi中氧施主......
研究了不同气氛(N2、O2、Ar)下高温快速热处理(RTP)对热施主形成和消除特性的影响．研究发现无论在何种气氛下进行高温RTP，对热施主的......
期刊
对快中子辐照的直拉硅分别进行了650℃和120℃快速（RTP）预热处理．450℃下不同时间热处理激发热施主，通过四探针测量电阻率和载流子浓度......
本文研究了CZ硅单晶在热处理过程中碳对产生氧施主和加快氧沉淀的作用。实验证实了碳在450℃时能抑制热施主的产生,在750℃时碳能......
微电子是信息社会的基础，而半导体硅材料则是微电子的支柱。 硅中的氧、碳、氮的浓度及其形态对硅材料的电学性能和机械性能有着......
随着信息社会的不断发展，微电子工业对国民经济发展所起的作用越来越大。半导体硅材料是微电子产业的基础材料，也是信息技术产业的支......
采用四探针电阻率测试仪和傅立叶红外光谱测试仪,研究了铸造多晶硅中热施主的形成规律.实验发现,初始氧浓度高、位错密度高、碳含......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
