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研究了高温和电学应力下砷化镓赝晶高电子迁移率晶体管的直流特性退化机理.高温下陷阱辅助发射电流引起器件关态漏电上升,而载流子迁移率的退化引起跨导降低;当温度达到450 K时,栅金属的沉降效应会导致跨导异常升高.进一步研究了不同温度下关态电学应力对器件性能退化的影响,结果与高温下栅沉降效应相吻合.
高温及关态应力条件下GaAs pHEMT器件的性能退化研究
【摘 要】
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研究了高温和电学应力下砷化镓赝晶高电子迁移率晶体管的直流特性退化机理.高温下陷阱辅助发射电流引起器件关态漏电上升,而载流子迁移率的退化引起跨导降低;当温度达到450 K
【机 构】
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上海航天电子技术研究所,上海201109;上海航天技术研究院,上海201109
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2020年6期
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