高温退化相关论文
由于氮化镓(GaN)具有宽禁带宽度、大击穿电场、高电子迁移率、强抗辐照能力等优异的材料性能,非常适合制备在极端条件下工作的高频......
研究了高温和电学应力下砷化镓赝晶高电子迁移率晶体管的直流特性退化机理.高温下陷阱辅助发射电流引起器件关态漏电上升,而载流子......
期刊
由于GaN优异的材料特性使GaN基HEMT走向实用化阶段。然而要将此技术推向更高耐压的的应用领域,以及更为恶劣的高温工作环境,器件的......
研究了已服役16年的汽轮机30Cr1Mo1V高中压转子钢的高温疲劳性能。选取高应力段、高温段和中压段等3个典型部位切向样品进行538℃......
碳化硅(Si C)材料凭借其优越的性能,成为极具潜力的第III代半导体材料,在航空航天、控制系统、通讯等领域有广阔的应用前景。不同......
