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对不同掺杂的BaTiO3基陶瓷的电性能、界面形态、氧元素分布特点以及电畴结构等进行研究发现：瓷体半导化速度很快，烧成温度是影响瓷体半导化速度的最重要因素；氧在晶粒晶界的偏析，并且对势垒的形成有重要作用；样品掺杂的元素不同．电畴结构会发生一定变化．畴结构和电阻起跳性存在一定关系．
BaTiO3陶瓷的PTC效应
【摘 要】
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对不同掺杂的BaTiO3基陶瓷的电性能、界面形态、氧元素分布特点以及电畴结构等进行研究发现：瓷体半导化速度很快，烧成温度是影响瓷体半导化速度的最重要因素；氧在晶粒晶界的偏析
【机 构】
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河北理工大学信息学院,河北理工大学材料学院,中国科学院大连化学物理研究所
【出 处】
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河北师范大学学报：自然科学版
【发表日期】
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2006年4期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（50444019）,河北省自然科学基金资助项目（E2005000433）
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