fmax为66GHz的HBT

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fmax为66GHz的HBT最近D.B.Slater等人报道了一种高fmax的PNPAlGaAs/GaAsHBT。这种HBT结构是用低压有机金属汽相外延技术生长的。其发射极帽层、梯度层、发射极层和下收集极层采用碳掺杂,而基区采用碲掺杂。他们通过采用薄... HBT with fmax at 66GHz. B. Slater et al. Reported a high fmax PNPAlGaAs / GaAsHBT. This HBT structure is grown using low pressure organometallic vapor phase epitaxy. The emitter cap layer, the gradient layer, the emitter layer and the lower collector layer are doped with carbon while the base region is doped with tellurium. They adopted thin ...
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