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通过测量材料的塞贝克系数和电阻率随温度的，首先可以判断出测量是否处于载流子浓度的饱和温区，进而能够导出在该饱和温区上载流子的迁移率随温度的变化关系。对高温热处理前后迁移率－温度关系的实验研究表明：ＳｉＧｅ：ＧａＰ中电子－声子散射经高温热处理后得到相对增强。
高温热处理对SiGe：GaP中电子散射机构的影响
【摘 要】
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通过测量材料的塞贝克系数和电阻率随温度的，首先可以判断出测量是否处于载流子浓度的饱和温区，进而能够导出在该饱和温区上载流子的迁移率随温度的变化关系。对高温热处理前后
【机 构】
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昆明物理研究所,英国威尔士大学
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1993年10期
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