双异质结双平面掺杂HEMT器件的电荷控制模型

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hongLIXUAN

【摘要】

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利用泊松方程以及异质结能带理论，通过费米能级一二维电子气浓度的线性近似，推导了基于双异质结双平面掺杂的HEMT器件的电荷控制模型．计算分析了沟道顶部和底部平面掺杂浓度，栅金

【作者】

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陈震刘新宇吴德馨

【机构】

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中国科学院微电子研究所

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2004年7期

【关键词】

：

高电子迁移率晶体管(HEMT) 电荷控制模型异质结二维电子气双平面掺杂 EEACC 1350A 2560S HEMTcharge control mode

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利用泊松方程以及异质结能带理论，通过费米能级一二维电子气浓度的线性近似，推导了基于双异质结双平面掺杂的HEMT器件的电荷控制模型．计算分析了沟道顶部和底部平面掺杂浓度，栅金属与顶部平面掺杂层距离等材料结构尺寸和阈值电压、二维电子气浓度的关系．该模型为优化和预测双平面掺杂HEMT器件性能提供了一个有效手段．

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