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垂直腔面发射激光器（VCSEL）已成为短距离数据通信传输系统的首选光源。热限制是VCSEL器件调制带宽进一步增加的一个主要的制约因素。本文基于有限元分析的方法对影响980 nm-VCSEL器件有源区温度的参数,如驱动电流、氧化孔径尺寸、氧化层材料等做了比较分析,还数值分析了二元系GaAs/AlAs材料DBR用于高速低能耗VCSEL器件的优势,为绿色光子器件设计提供优化思路。