氢气放电无窗输出型光CVD非晶,微晶硅薄膜

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yhljlb

【摘要】

：

采用氢气作为无窗输出型真空紫外辐射源的工作气体,产生的高能光子（如真空紫外光）可以直接分解SiH4或SiH4+BF3混合气体,以制备氢化非晶硅（a-S

【作者】

：

郭述文朱基千谭淞生王渭源

【机构】

：

江西大学物理系,中国科学院上海冶金研究所

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

1989年10期

【关键词】

：

无窗输出 CVD 硅薄膜 Windowless photo-CDV Hydrogenated a-Si Flourinehydrogenated boro

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采用氢气作为无窗输出型真空紫外辐射源的工作气体,产生的高能光子（如真空紫外光）可以直接分解SiH4或SiH4+BF3混合气体,以制备氢化非晶硅（a-Si∶H）和掺硼氟化微晶硅（μc-Si∶F∶H（B））薄膜.测量表明,薄膜具有类似于通常辉光放电或汞敏化紫外光CVD制备的薄膜的结构和电学特性,掺氟化硼后晶化温度可低至200℃.文中对真空紫外光CVD的光解机理以及薄膜的特性

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