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研究了低温下分子束外延生长ＧａＡｓ样品的稳态和瞬态发光。从２００℃生长的样品呆测到很弱但清晰可辨的稳态发光峰，峰的能量位置相对于体ＧａＡｓ激光子峰有一定蓝移。
低温下分子束外延生长GaAs的光致发光研究
【摘 要】
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研究了低温下分子束外延生长ＧａＡｓ样品的稳态和瞬态发光。从２００℃生长的样品呆测到很弱但清晰可辨的稳态发光峰，峰的能量位置相对于体ＧａＡｓ激光子峰有一定蓝移。
【机 构】
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中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室
【出 处】
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发光学报
【发表日期】
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1999年1期
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