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本文研究了ＰＥＣＶＤ方法制备Ｓｉ－Ｏ－Ｍ系梯度薄膜材料，并运用计算机控制技术成功地制备了涂层折射率随膜深成正弦波形式连续变化的Ｒｕｇａｔｅ单通带滤波器样品。结果表明，采用ＰＥＣＶＤ方法可以制备性能上乘、结构复杂的梯度薄膜材料，ＰＥＣＶＤ方法在研究、开发高级光学涂层领域有着宽广的应用前景。
PECVD方法用于梯度薄膜材料的研究
【摘 要】
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本文研究了ＰＥＣＶＤ方法制备Ｓｉ－Ｏ－Ｍ系梯度薄膜材料，并运用计算机控制技术成功地制备了涂层折射率随膜深成正弦波形式连续变化的Ｒｕｇａｔｅ单通带滤波器样品。结果表明，采用ＰＥＣＶＤ方法可以制备性能上乘、结构复
【机 构】
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复旦大学电子工程系
【出 处】
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功能材料
【发表日期】
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1996年6期
【基金项目】
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国家自然科学基金委员会材料与工程学部资助
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