压敏材料相关论文
柔性传感器具有良好的柔韧性,可以集成在各种可穿戴产品中进行信号采集,从而在生物医学工程和健康监测等方面发挥重要的作用。传统......
通过对样品 V- I特性和势垒特性的测试和分析 ,研究了掺锑对二氧化锡压敏电阻性能的影响。Sn O2 ·Co2 O3基本上不具有电学非线性 ......
文章研究了掺入碳纤维和纳米碳黑的水泥基压敏材料在两种不同荷载幅度的单个加卸载循环下电阻变化率(ΔR/R0)与应力之间的相关性及......
研究了Al~(3+)掺杂量的变化对ZnO中高压压敏材料主要性能参数的影响,从微观上分析了产生这些影响的原因以及提高材料稳定性能的措......
设计了一种基于柔性衬底和柔性压敏材料的压力传感器阵列.该4×4的柔性阵列采用光刻工艺制备,尺寸为2.5×2.5cm2,衬底是PET-ITO柔......
对用纳米粉体制备的ZnO压敏生坯进行了微波烧结，通过XRD，SEM分析和电性能测试，与普通烧结比较，微波烧结可使ZnO压敏材料快速成瓷，显著缩......
该文以研制ＰＣＤＦ压电阵列式触觉滑觉复合传感器为基础，阐述以ＰＣＤＦ为压敏材料的机器人触觉传感器的工作原理，１３×１３压电式触觉滑觉复合传感器的结构......
钛酸锶系电容—压敏双功能陶瓷是一种重要压敏材料,有压敏电压低、非线性系数高、介电常数高、介电损耗低等优点,是集高频噪声、猝......
自从1969年发现ZnO压敏材料以后,人们对ZnO压敏材料进行了广泛、深入的研究,到八十年代中后期,ZnO压敏材料的应用开发日渐成熟.但......
依据缺陷势垒模型选取Ｚｎ２＋和Ｎｂ５＋复合掺杂的ＳｎＯ２陶瓷进行研究，测量了材料的密度、失重率等物理性质和非线性系数、电流－电压（Ｉ－Ｖ）关系曲线等电子性质。......
研究并分析了Ni3+掺杂和Co2+掺杂对SnO2压敏电阻致密度和电学非线性性能的影响.研究了掺Mn2+对SnO2@Ni 2O3@Nb2O 5压敏材料性能的......
研究并分析了Ni3 + 掺杂和Co2 + 掺杂对SnO2 压敏电阻致密度和电学非线性性能的影响。研究了掺Co3 + 对SnO2 Ni2 O3 Nb2 O5压敏材......
1月22日,艾利丹尼森材料部宣布在昆山工厂新增两条溶剂胶涂布生产线,进一步增强其在中国的产能,满足本地市场对压敏材料日益增长的......
对一种新的压敏材料 Sn O2 - Mg O- Nb2 O5 陶瓷进行了初步的研究。实验结果表明 ,本系列材料具有优异的介电性能 ,室温介电常数为......
通过对样品V-I特性和势垒特性的测试和分析,研究了掺锑对二氧化锡压敏电阻性能的影响.snO2@Co2O3基本上不具有电学非线性,掺杂很少......
研究了 Cu O对 Sn O2 · Mg O· Nb2 O5压敏材料的密度、非线性特性、介电常数的影响。实验发现 ,适当掺杂 Cu O不仅能增大 Sn O2 ......
研究了掺Ce对SnO2*Co2O3*Nb2O5压敏电阻器性能的影响.研究发现Ce4+对Sn4+的取代能明显提高陶瓷的致密度,掺入x(CeO2)为0.05的陶瓷......
研究了Ｃｏ２Ｏ３的含量对ＳｎＯ２．Ｃｏ２Ｏ３．Ｔａ２Ｏ５系列压敏电阻性能的影响。实验发现，在温度为１３５０℃下烧成的９９．２％ＳｎＯ２＋０．７５％Ｃｏ２Ｏ３＋０．０５％Ｔａ２ｏ５材料具有最大的击穿电压。应用晶界缺陷模型解释了ＳｎＯ２．Ｃｏ２Ｏ３．Ｔａ２Ｏ５压敏电阻产......
艾利丹尼森材料部宣布在昆山工厂新增两条溶剂胶涂布线，进一步增强其在中国的产能，满足本地市场对压敏材料日益增长的需求，尤其是对耐......
利用Agilent 34401A台式万用表和载荷传感器、位移引伸计和UCAM-20PC静态电阻应变仪建立综合数据采集系统实现压敏材料压阻性能试......
研究了添加导电炭黑和ＳｉＯ２纳米粉的硅橡胶复合材料的导电机理、压阻及阻温效应。发现：添加１５ｇ导电炭黑的硅橡胶（硅橡胶为１００ｇ，下同）的压阻效应，随着......
研究了Al~(3+)掺杂量的变化对ZnO中高压压敏材料主要性能参数的影响,从微观上分析了产生这些影响的原因以及提高材料稳定性能的措......
<正> ZnO压敏材料自60年代问世以来发展迅速,应用越来越广泛,市场对材料性能也不断提出新的要求.如何从实验中研究出性能优良、价......
依据缺陷势垒模型选取Ｚｎ＾２＋和Ｎｂ＾５＋复合掺杂的ＳｎＯ２陶瓷进行研究，测量了材料的密度、失重率等物理性质和非线性系数、电流－电压（Ｉ－Ｖ）关系曲线等电子性质，利......
对一种新的压敏材料ＳｎＯ２－ＭｇＯ－Ｎｂ２Ｏ５陶瓷进行了初步的研究。实验结果表明，本系列材料具有优异的介电性能，室温介电常数为１４０￣６００，也具有较好的压敏性，其非线性......
通过对样品I-V特性和势垒高度等参数的测定，研究了钽对二氧化钛压敏电阻电学性能的影响。研究中发现掺入的x(Ta2O5)0.25％为的样品显......
研究了掺锂对SnO2压敏电阻器性能的影响.研究发现Li+对Sn4+的取代能明显提高陶瓷的烧结速度和致密度,且能大幅度改善材料的电学非......
研究了CuO对SnO2·MgO·Nb2O5压敏材料的密度，非线性特性，介电常数的影响。实验发现，适当掺杂CuO不仅能增大SnO2·MgO......
研究并分析了Ni^3+掺杂和Co^2+掺杂对SnO2压敏电阻致密度和电学非线性性能的影响。研究了掺Mn^2+对SnO2·Ni2O3·Nb2O5压......
研究了掺Ce对SnO2*Co2O3*Nb2O5压敏电阻器性能的影响.研究发现Ce4+对Sn4+的取代能明显提高陶瓷的致密度,掺入x(CeO2)为0.05的陶瓷......
研究了Nb2O5对ZnO压敏材料电学性能的影响.当x(Nb2O5)从0增加到1%时,ZnO压敏电阻的击穿电压从209 V/mm降至0.70 V/mm,40 Hz时,样品......
通过对样品的伏安特性,晶界势垒的测量和分析,研究了BaCO3对新型(Co,Nb)掺杂SnO2压敏材料微观结构和电学性质的影响.晶界势垒高度......
研究了掺杂不同V2O5对ZnO陶瓷压敏特性的影响。实验表明，ZnO压敏电压随V元素掺杂量增加而随之升高，非线性系数随元素v掺杂量增加而先......
本项目是应用新材料、化学工程、电力电子技术等多学科技术，解决制造高参数压敏元件的关键技术问题。基于电力电子和微电子工业的发......
日前，芬欧蓝泰标签在欧洲新建的薄膜压片生产线正式投产，并将向标签加工商供货。这一新的压片生产线可以生产更薄的薄膜，主要用于满足......
研究了不同浓度Cr、Co和Mn的掺杂对ZnO-PbO-B2O3陶瓷压敏特性的影响。实验表明，ZnO平均晶粒尺寸随各元素掺杂量增加而逐渐变大，压敏......
12月21日，艾利丹尼森公司宣布以7500万美元收购Hanita Coatings公司，这是一家压敏材料制造商，生产特种薄膜和覆膜产品。......
讨论了ＰＶＤＦ材料的结构及特性，介绍研制成功的多种以ＰＶＤＦ为敏感材料的用于机器人智能抓取的传感器的，并讨论了传统器应用实验及发展前景。......
研究并分析了Ni3+掺杂和Co2+掺杂对SnO2压敏电阻致密度和电学非线性性能的影响.研究了掺Co3+对SnO2-Ni2Oa-Nb2O5压敏材料性能的影......
研究了掺CeO2对SnO2·Co2O3·Ta2O5压敏电阻器性能的影响.研究发现:随着x(CeO2)从0增加到1%,压敏电压从190 V/mm增加到205......
研究了掺杂 CuO对 SnO2· Ni2O3· Ta2O5压敏材料电学性能的影响.实验发现,随着 CuO的 掺杂量从 0.50mol%增加到 1.50mol%......
研究了Ｃｏ２Ｏ３含量对ＳｎＯ２－ＭｇＯ－Ｎｂ２Ｏ５压敏材料的密度、非线性特性的影响。实验结果表明，Ｃｏ２Ｏ３不仅能够增大ＳｎＯ２－ＭｇＯ－Ｎｂ２Ｏ５材料的质量密度，而且能提高非线性系数，减小漏电流，在较大......
