氨化Si基Ga2O3/V膜制备GaN纳米线

来源 :稀有金属材料与工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lys520168
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氨化硅基钒应变层氧化镓膜制备了大量氮化镓纳米线,X射线衍射、扫描电子显微镜和透射电子显微镜观察发现,纳米线具有十分光滑且干净的表面,其直径为20-60mm左右,长度达到十几微米。高分辨透射电子显微镜和选区电子衍射分析结果表明。制备的氮化稼纳米线为六方纤锌矿结构。光致发光谱显示制备的氮化稼纳米线有良好的发光特性。另外,简单讨论了氮化稼纳米线的生长机制。
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