一种简化的VBIC模型和InGaP／GaAs HBT宽带放大器设计

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：sunna2005

【摘要】

：

采用一种新的简化VBIC模型对单、多指InGaP／GaAs HBT器件进行建模．测量和模型仿真FV特性及其在多偏置条件下多频率点S参数对比结果表明，DC～9GHz频率范围内，简化后的模型可对InGaP／G

【作者】

：

孙玲玲刘军

【机构】

：

杭州电子科技大学微电子CAD研究所

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2005年5期

【关键词】

：

简化VBIC模型 INGAP/GAAS HBT 宽带放大器 simplified VBIC modelInGaP/GaAs HBTbroadband ampli

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采用一种新的简化VBIC模型对单、多指InGaP／GaAs HBT器件进行建模．测量和模型仿真FV特性及其在多偏置条件下多频率点S参数对比结果表明，DC～9GHz频率范围内，简化后的模型可对InGaP／GaAs HBT交流小信号特性进行较好的表征．利用建立的模型设计出DC～9GHz两级直接耦合宽带放大器，该放大器增益达到19dB，输入、输出回波损耗分别低于-10dB和-8dB．

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