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通过模拟分析了0.18μm CMOS工艺条件下的信号完整性问题．在进行串扰延迟和噪声分析中发现了一些规律，这些规律对以后的设计有一定的指导意义．
0．18μm CMOS工艺条件下的信号完整性分析
【摘 要】
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通过模拟分析了0.18μm CMOS工艺条件下的信号完整性问题．在进行串扰延迟和噪声分析中发现了一些规律，这些规律对以后的设计有一定的指导意义．
【机 构】
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中国科学院微电子中心
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2003年10期
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