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描述了为改善其表面驻极态的抗湿能力，对Si基Si3N4和Si3N4/SiO2薄膜驻极体所进行的化学表面修正的基本原理。以六甲基二硅胺（HMDS）和二氯二甲基硅烷（DCDMS）两种化学修正试剂对这类薄膜驻极体的改性效果进行了对比性的研究。结果指出：从抗湿能力考虑，经DCDMS修正的氮、氧化硅驻极体的电荷稳定性优于HMDS处理的样品，是由于这类修正形成了更完善的表面单分子疏水层；但如果从驻极体的储电热稳定性方面考虑，以HMDS处理的样品优于DCDMS样品，是由于被HMDS修正的表面层内形成了较高浓度的深能级陷