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利用Sol—Gel法在Pt／TiO2／SiO2／Si基底上用快速热处理（RapidThermalProcessing，RTP）退火工艺制备出了致密的PZT铁电薄膜，主要研究了在退火时间为500s时退火温度对薄膜的结晶结构、表面形貌和铁电性能的影响。通过X射线衍射仪（xRD）、扫描电子显微镜（SEM）和铁电测试仪对制备的薄膜进行了性能表征。研究结果表明，当退火温度为6000C时，PZT薄膜具有（111）择优取向，表面致密无裂纹，且具有较好的铁电性能（其饱和极化值约为30μC／cm^2，剩余极化约为20μC／