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分别采用机械打磨去镍加热镀锡工艺和反电镀去镍加电刷镀银工艺制作一对接头，然后对接头进行低温直流测试，测得前者的直流电阻为1.98nΩ，后者的直流电阻为1.53nΩ。对比分析可知，反电镀去镍和电镀银工艺更有效、更简单。这些工艺研究对ITER校正场线圈超导接头的制作具有重要指导意义。
ITER校正场线圈接头去镍及表面后处理工艺研究
【摘 要】
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分别采用机械打磨去镍加热镀锡工艺和反电镀去镍加电刷镀银工艺制作一对接头，然后对接头进行低温直流测试，测得前者的直流电阻为1.98nΩ，后者的直流电阻为1.53nΩ。对比分析可知
【机 构】
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中国科学院等离子体物理研究所
【出 处】
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核聚变与等离子体物理
【发表日期】
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2014年1期
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