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采用化学均相沉淀法在YAG：Eu^3＋荧光粉表面包覆了SiO2。利用XRD、SEM、Zeta电位分析、傅里叶红外光谱和荧光光谱等手段对包覆处理前后的样品进行TN试和表征。结果表明：SiO2包覆层紧密附着在荧光粉表面，而不改变YAG：Eu^3＋荧光粉的晶体结构和发光中心；并通过改善荧光粉的表面状态，在一定程度上提高了荧光粉的发光强度。