【摘 要】
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采用霍尔测量,沟道卢瑟福背散射以及低温光荧光方法对中子辐照GaAs缺陷的快速退火行为进行了研究。嬗变杂质锗未能全部激活的原因之一是部分锗原子占据砷位形成受主。在快速退火过
【机 构】
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中国科学院高能物理研究所,北京科技大学材料物理系
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采用霍尔测量,沟道卢瑟福背散射以及低温光荧光方法对中子辐照GaAs缺陷的快速退火行为进行了研究。嬗变杂质锗未能全部激活的原因之一是部分锗原子占据砷位形成受主。在快速退火过程中可形成反位缺陷GaAs(EV+200meV)以及复合缺陷IGa-VAs。
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