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本发明的的生长氧化锌半导体薄膜的金属有机化合物汽相沉积装置，包括生长室、进样室、连接生长室和进样室的活动闸板及用于活化裂化氮源气体的原子发生器，原子发生器的出气管置入生长室内，生长室采用水冷结构，具有双层壁，夹层充冷却水冷却，在生长室设有由电机带动旋转的水平样品架、样品加热器、氧源进气管、锌源进气管和排气口。工作时，将清洗后的衬底通过进样室输送到生长室，样品生长面水平朝下固定在样品架上，输入不同的反应气体生长不同性能的晶体薄膜，同时，将经原子发生器活化裂化高纯氮源气体分离出的氮原子输入生长室，可以获得厚度