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对氯丙嗪（CPZ）在离子液体BMIMPF6修饰玻碳电极（BMIMPF6／GC）上的伏安行为进行了研究。发现CPZ在该修饰电极上于0．65V左右产生氧化还原峰，峰的可逆性比玻碳电极（GC）有较大改进，其电极过程为吸附控制。在0．050mol／L磷酸缓冲溶液（pH4）中，CPZ在BMIMPF6／GC上的氧化峰的峰电流约为GC上的2倍。在优化实验条件的基础上，采用微分脉冲伏安法对不同浓度CPZ溶液进行了测定。结果表明，CPZ在BMIMPF6／GC上的氧化峰电流与浓度在5．6×10^-9～3．0