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提出了一种新结构单片集成增强／耗尽型（E／D）InGaP／AlGaAs／InGaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMTs）．外延层材料通过分子束外延技术生长，在室温下，其电子迁移率和二维电子气浓度分别为5410cm^2／（V·s）和1．34×10^-12cm^-2．首次提出了普通光学接触曝光分步制作增强与耗尽型的栅技术方法．研制出了单片集成E／D型PHEMTs，获得良好的直流和交流特性，最大饱和漏电流密度分别为300和340mA／mm，跨导为350和300mS／mm，阈值电压为0．2和