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应用统计方法，研究了掺金型硅中各杂质能级上的电荷密度及载流子浓度随温度的变化，探讨了系统的静态电荷转移机制，所得结果支持了硅中金受主能级与施主能级本属同一金杂质的两个能级的认识。
掺金N型硅中静态电荷转移机制的统计研究
【摘 要】
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应用统计方法，研究了掺金型硅中各杂质能级上的电荷密度及载流子浓度随温度的变化，探讨了系统的静态电荷转移机制，所得结果支持了硅中金受主能级与施主能级本属同一金杂质的两个
【机 构】
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厦门大学物理系
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1999年2期
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