【摘 要】
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用快速的电流DLTS和最低温度达10K的低温样品架对过去报道过的n型Si中B~+,200keV,2.5 × 10~(11)cm~(-2)和P~+,240keV,4.4 × 10~(11)cm~(-2)离子注入产生的新能级重新作了测
【机 构】
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中国科学技术大学研究生院,北京工业大学微电子学研究室,中国科学技术大学研究生院
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用快速的电流DLTS和最低温度达10K的低温样品架对过去报道过的n型Si中B~+,200keV,2.5 × 10~(11)cm~(-2)和P~+,240keV,4.4 × 10~(11)cm~(-2)离子注入产生的新能级重新作了测量.在注B~+样品中,发现三个新的电子陷阱E_6(0.16),E_7(0.15),E_8(0.08),其中E_7具有很大的浓度.在注P~+样品中,发现二个新的电子陷阱,其中E_7与注硼样品属于同一种中心,因此可能与硼无关.另一个E_3＂(0.09).
In the past reported B +, 200keV, 2.5 × 10 ~ (11) cm ~ (-2) and P ~ +, 240keV, 4.4 (superscript 4+) in the past reported by fast current DLTS and low temperature sample racks up to 10K Three new electron traps E_6 (0.16), E_7 (0.15), E_8 (0.15) were found in the new B + (0.08), of which E_7 has a great concentration.Within the P ~ + sample, two new electron traps were found, of which E_7 belongs to the same center as the boron-injected sample and therefore may not be related to boron.The other E_3 " 0.09).
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