化学气相输运相关论文
二维过渡金属硫族化合物（TMDCs）具有丰富的化学组成和晶体结构,赋予了其丰富的物理化学性质和广阔的应用前景,但同时也为材料的可控......
二维材料是近年来材料科学和凝聚态物理学的前沿研究方向.在众多的二维材料中,黑磷(black phosphorus,BP)因其独特的带隙、优异的......
采用I2作为输运剂,以单质Zn和Se为原料运用化学气相输运法制备了ZnSe晶体。比较了不同I2含量下所生长ZnSe晶体的性能,借助XRD、SEM......
利用化学气相输运方法,以碘作为传输剂,在封闭的石英安瓿中制备出了优质新型的光电及热电半导体材料β-FeST2单晶。在大量实验基础......
应用闭管化学气相输运方法在CdSe衬底(0001)和(0001)面上制备了Hg_(1-x)Cd_xSe外延膜.膜表面光滑平坦,其二次电子形貌线扫描平直均......
氧化锌(ZnO)是一种极其重要的半导体材料,具有宽带隙(3.37eV)和高激子结合能(60meV),适合制作短波长发光二极管和激光二极管。综述......
本文在常压下,采用开放式的化学气相输运系统、以ZnO粉为原料、以NH4Cl为载气,反应温度950℃,结晶1h,在Al2O3衬底上得到形貌各异的......
由于在电学、光学、机械以及催化方面具有优异的性能,二维材料近年来受到了广泛的关注,其中高质量二维材料的可控生长是实现其众多......
本论文以铌基硫属化合物超导体作为主要研究对象,重点研究了NbSe2单晶生长、Zr掺杂的NbSe2、Cu(或Li)掺杂的NbS2化合物的制备方法......
采用化学气相输运法在常压开放系统中,以ZnO粉体为原料,HCl和NH3为输运气体,O2和H2O为反应气体,适度过量的HCl作为刻蚀性气体,在(0......
利用化学气相输运方法, 以碘作为传输剂, 在封闭的石英安瓿中制备出了优质新型的光电及热电半导体材料β-FeSi2单晶. 在大量实验基......
用改进的化学气相输运技术(CVT),以Zn(NH4)3Cl5为新的气相输运剂,直接从单质Zn和Se一步在封密管中生长了ZnSe单晶,升华温度1001～102......
化学气相输运（CVT）生长单晶通常采用双温区管式炉。利用普通单温区管式炉中的温度梯度实现了化学气相输运,并成功生长出了Nb Se2单晶......
氧化锌为直接带隙宽禁带半导体材料,由于其优良的光电性能,预计在未来光电信息领域有着巨大的应用前景,引起了广泛的研究兴趣。......
二维金属硫族化合物（MDs）具有丰富的化学组成和晶体结构,赋予了其丰富的物理化学性质和广阔的应用前景,但同时也为材料的可控合成带......
一、填空题 1.现代无机化学的发展具有三个特点:①从宏观到微观;②从定性描述向定量化方向发展;⑧既分化又综合,出现许多边缘学科......
采用化学气相输运法在常压开放系统中,以ZnO粉体为原料,HCl和NH3为输运气体,O2和H2O为反应气体,适度过量的HCl作为刻蚀性气体,在（00......
采用化学气相输运法（CVT）在适合的温度和I2含量的条件下，生长出了φ25mm×3mm的ZnSe单晶，位错密度为6．5×10^3个／cm^2。对ZnSe单......
二硫化钼(MoS2)晶体厚度降低到单分子层后由间接带隙半导体转变为直接带隙半导体,表现出优异的电学和光学性能,在二维光电器件等领......
本文采用高温水解反应制备了ZnO晶体,分析了化学气相反应条件下温度和衬底种类对晶体形貌和质量的影响,实验发现500-550℃下在SiC......
