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以金属Au-Al为催化剂,在温度为1 100℃,N2气流量为1 500 sccm、生长时间为30 min,从Si（100）衬底上直接生长了直径约为50～120 nm、长度为数百纳米的高密度、大面积的Si纳米线。然后,利用Tb2O3在不同温度（1 000～1 200℃）、掺杂时间（30～90 min）和N2气流量（0～1 000 sccm）等工艺条件下对Si纳米线进行了Tb掺杂。最后,对Si（100）衬底进行了Tb掺杂对比。室温下,利用荧光分光光度计（Hita—chi F-4600）测试了Tb掺杂Si纳米线