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采用甚高频等离子体辅助化学气相沉积技术（VHF-PECVD）分别对薄膜沉积参数进行了功率密度-沉积气压和硅烷浓度-气体总流量两因素优化。主要研究沉积参数对薄膜沉积速率和结晶状况的影响，结果表明：高沉积压强下，功率密度的提高对微晶硅薄膜（μc—Si：H）沉积速率的影响减弱，硅烷浓度和气体总流量影响作用相对增强，高硅烷浓度有利于材料的利用，最终在高压强（600Pa）条件下，使微晶硅薄膜的沉积速率提升到2．1nm·s^-1。同时，利用分步沉积法对薄膜的纵向结构均匀性进行了初步研究。