γ总剂量辐射对CMOS器件性能的影响

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本文比较了相同结构不同工艺的CMOS电路γ电离辐射效应结果。它表明:未经加固的市售器件,对γ总剂量辐射相当灵敏。特别是硅栅器件,正偏置下,大约经15Gy的γ剂量辐射后即告失效;在70Gy下,静态功耗电流增加4.5个量级。从实验结果出发,讨论了CMOS电路γ总剂量电离辐射效应的失效标准和加固方法。 This article compares the results of ionizing radiation effects of CMOS circuits of the same structure and different processes. It shows that: Unirradiated commercially available devices are quite sensitive to the total dose of gamma radiation. In particular, silicon gate devices, under positive bias, will fail after approximately 15 Gy of gamma radiation; at 70 Gy, the quiescent current consumption increases by 4.5 orders of magnitude. Based on the experimental results, the failure criteria and reinforcement methods of the total dose ionizing radiation effect of CMOS circuit γ are discussed.
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