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针对深沟槽内结构制作困难的问题,基于单晶硅各向异性腐蚀原理,推导了{100}单晶硅在KOH溶液中无掩模腐蚀过程台阶宽度与无掩模腐蚀深度之间的解析表达式,通过工艺实验确定了单晶硅{311}面与{100}面的腐蚀速率比;采用适合于三明治微加速度传感器硅芯片制作的无掩模腐蚀成型工艺流程,实现了深沟槽内悬臂梁的准确成型,研制出一种±100 gn量程的微加速度传感器。样品测试表明:运用无掩模腐蚀技术制作的微加速度传感器相对精度优于6×10~(-5),灵敏度为17.78 m V/g_n。