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讨论了X波段功率异质结双极晶体管(HBT)的设计,介绍了器件研制的工艺过程及测试结果.研制的器件在X波段功率输出大于5 W,功率密度达到2.5 W/mm.采用76 mm圆片工艺制作,芯片的DC成品率高于80%.
X波段功率异质结双极晶体管
【摘 要】
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讨论了X波段功率异质结双极晶体管(HBT)的设计,介绍了器件研制的工艺过程及测试结果.研制的器件在X波段功率输出大于5 W,功率密度达到2.5 W/mm.采用76 mm圆片工艺制作,芯片
【机 构】
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南京电子器件研究所210016
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2003年1期
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