【摘 要】
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简要介绍了三维存储器出现的背景和几种得到广泛关注的三维存储器;建立模型分析了位成本缩减(BiCS)、垂直堆叠存储阵列(VSAT)和垂直栅型与非闪存阵列(VG-NAND)三种代表性的三
【机 构】
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清华大学微电子学研究所,清华大学微纳电子系,
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简要介绍了三维存储器出现的背景和几种得到广泛关注的三维存储器;建立模型分析了位成本缩减(BiCS)、垂直堆叠存储阵列(VSAT)和垂直栅型与非闪存阵列(VG-NAND)三种代表性的三维存储器的存储单元的形状对其性能的影响,从理论分析的角度比较了三种存储单元结构对其存储性能的影响;采用Sentaurus软件对三种存储单元的性能进行仿真,从编程/擦除时间、存储窗口和保持性能三个方面比较了三种存储单元结构的存储性能。理论分析结果和仿真结果都一致地表明BiCS结构的圆柱孔形存储单元比其他两种存储单元更有优势。
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