【摘 要】
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本文介绍了GaAs/Si兼容技术的必起、硅上生长GaAs单晶的主要困难及其对策;同时介绍了目前在硅上生上GaAs/Si单晶的工艺技术及其发展趋势;对GaAs/Si材料制备的器件及电路水平
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本文介绍了GaAs/Si兼容技术的必起、硅上生长GaAs单晶的主要困难及其对策;同时介绍了目前在硅上生上GaAs/Si单晶的工艺技术及其发展趋势;对GaAs/Si材料制备的器件及电路水平作了评述.
This paper introduces the necessity of GaAs / Si compatible technology, the main difficulties of GaAs single crystal grown on silicon and the countermeasures. At the same time, the current technology of GaAs / Si single crystal growth on silicon and its development trend are introduced. Si material preparation of the device and circuit level were reviewed.
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