一种全新的超高速双极ECL硅工艺—氧化物隔离等平面S(z)

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氧化物隔离等平面S(z)工艺采用全离子注入工艺代替原始的扩散工艺,使得整个工艺流程更为简化,对于浅结工艺的重复性和均匀性均有较大提高。发射极条和基极条形成自对准,发射极四周靠墙。发射极条宽为3微米时,f_γ>3GHz。该工艺已应用于超高速双极ECL分频器中。 The planar S (z) process such as oxide isolation replaces the original diffusion process with the all-ion implantation process, simplifying the entire process and greatly improving the repeatability and uniformity of the shallow junction process. The emitter and base stripes form self-alignment, with the emitter around the wall. When the emitter width is 3 microns, f_γ> 3GHz. This process has been applied to very high speed bipolar ECL dividers.
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