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亲水处理是硅片能否直接键合成功的关键。基于亲水处理的微观机理分析和不同清洗要水处理的过程及效果，本文提出了独特的三步亲水处理法。这一方法既能顺利完成室温预键合，又能减少界面上非定形大尺寸ＳｉＯｘ体的生成，避免了界面对电输运的势垒障碍，结果获得了理想的键合界面。
直接键合硅片的三步亲水处理法及界面电特性
【摘 要】
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亲水处理是硅片能否直接键合成功的关键。基于亲水处理的微观机理分析和不同清洗要水处理的过程及效果，本文提出了独特的三步亲水处理法。这一方法既能顺利完成室温预键合，又能
【机 构】
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电子科技大学微电子所四川成都610054
【出 处】
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功能材料
【发表日期】
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2000年1期
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