论文部分内容阅读
本文较为详细地描述了凹陷沟道ＳＯＩ器件的结构和工艺制造技术，采用凹陷沟道技术制备的ＳＯＩ器件的性能明显优于常规厚膜部分耗尽和常规薄膜全耗尽ＳＯＩ器件的性能。采用该技术已成功地研制出沟道区硅膜厚度为７０ｎｍ，源漏区硅膜厚度为１６０ｎｍ，有效沟道长度为０．１５－４．０μｍ的高性能凹陷沟首ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴ，它与常规薄膜全耗尽ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴ相比，跨导及饱和电流分别提高了约４０％。